三星正式开始大规模生产首批256gb的ufs 2.0闪存芯片,持续读写可分别达到850/260 mb/s,4k随机的iops值达到45000和40000,传输效率为上一代ufs芯片。
发布会上被称为黑科技的ufs 2.0闪存实际上是指通用闪存2.0的规格,意味着读写速度将大幅提高。 其实半年前魅族的pro 5已经运用了ufs 2.0闪存。 但是,三星今天宣布,将批量生产容量为256gb的新ufs 2.0闪存。
来自gsmarena的报道称,三星正式开始大规模生产首款256gb的ufs 2.0闪存芯片,不仅容量有所突破,读写速度也可以超过sata接口的ssd产品。 读写分别达到850/260 mb/s,4k随机iops值达到45000和40000,传输效率是上一代ufs芯片的两倍。
众所周知,三星SSD能够实现大容量,要归功于三星的v-nand技术。 这次能够量产256gb的ufs 2.0芯片,还是v-nand技术的功劳。 但是,在这样大容量的闪存模块中,传输也需要很多时间。 为此,三星还宣布,未来的三星手机将支持usb 3.0接口传输协议。 结合这个全新的256gb ufs 2.0芯片,传输1080p高清电影只需要12s。
三星宣布这种新产品将于今年9月上市。 虽然刚刚发布的galaxy s7和s7 edge当然不能使用,但这与三星galaxy note 6的发布时间基本一致,很可能成为首款带有移动硬盘的手机。
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