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“中国打破美韩芯片核心技术垄断 进口额超石油”

发布时间:2021-06-20 12:27:01 浏览阅读数:

11月28日,宁波时代全芯科技有限企业发布自主开发的55纳米相变记忆芯片,成为继韩国三星、美国美光之后,世界第三大公司,中国第一家拥有相变记忆技术自主知识产权的公司。 业内人士认为,这将有助于打破存储器芯片生产技术被海外企业垄断的局面。 相变存储是第四代存储技术,比以前流传下来的芯片送稿速度快1000倍,耐久性高1万倍。

“中国打破美韩芯片核心技术垄断 进口额超石油”

  

宁波时代全芯科技有限企业推出了自主开发的55纳米相变存储器芯片

支持未来30年的存储技术

以核心时代、世界保存为主题的宁波时代全核心科技产品发布会于11月28日在宁波举行,宁波时代全核心科技有限企业现场发布了55纳米相变存储器芯片。 这意味着该公司将成为继韩国三星、美国美光之后的第三家拥有该技术的公司,打破了存储器芯片生产技术长时间被海外垄断的局面。 据悉,该公司全年投入量产,产业化前景可观。

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宁波时代全核心企业相变存储技术拥有完全自主知识产权,已申请专利57项,正在申请的专利141项。 其研发团队由美国国家工程院院士、中国科学院外籍院士马佐平等专家组成。

从静态随机存储技术( sram )到动态随机存储技术( dram ),再到现在流行的闪存技术) flash ),人类对存储性能的追求是什么 在云计算、大数据时代,数据的迅猛增长对存储解决性能提出了更高或几乎更苛刻的要求。 近年来,不断商品化的新一代存储技术的相变存储( pcm )以高性能而闻名,具有代替以前流传下来的存储和闪存的能力,将引起存储市场的新变革。

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相变存储技术的原理是利用存储材料在结晶状态和非结晶状态下的导电性差异来实现数据的存储。 相变存储与传统的存储技术相比,可以大幅减少存储装置的体积。 以全球搜索巨头谷歌为例,采用这项新技术,可以将3个足球场的内存集中在20平方米的房间内。

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pcm是非易失性存储器,和第三代闪存技术一样是非易失性的,但比闪存更耐用。 闪存的寿命通常约为10万次,对于许多高端存储应用程序来说是不够的。 相比之下,pcm的耐用性是闪存的数千~数百万倍,pcm在公司级存储应用中获益越来越多。

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据预测,每元pcm的实际价格很快将等于或低于闪存,在未来30年内,基于pcm技术生产的半导体产品将成为电子存储器产业快速发展的首要支撑力。

  

相变存储技术的突破有助于中国芯片产业的自主化

我国的芯片进口额超过石油

相变存储器的概念提出了很多年,但早就不是空的楼阁,而是悄然进入实用。 2009年,美光展示了1gb的相变存储器、45纳米工艺制造、存储单元面积0.015平方微米。 年,三星生产了与nor兼容的65nm相变存储器,并与三星自己的gt-e2550 gsm功能手机配套使用,但产量和销量极少。 年,美光宣布首次实现相变存储器批量生产,年底用于诺基亚的asha系列手机。

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从2002年开始,中科院上海微系统所开始攻关新一代新型相变存储器,并承担了中国极其大规模的集成电路制造装备和成套设备技术、973计划等相关任务。 年,中科院上海微系统所、中芯国际、微核等公司组成百余人的产学研队伍,成功开发出具有自主技术的相变存储器,随后迅速发展为工程行业。

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此次宁波时代全芯科技有限企业推出的pcm解决方案,将有助于最终打破存储器芯片生产技术被海外企业垄断的局面。 中国作为许多电子产品的世界最大生产国,每年消费的存储装置占世界的三分之一,但迄今为止还没有实现过内存国产。 刘延东国务委员今年3月指出,全年进口芯片约1650亿美元,超过进口石油1200亿美元。 但根据行业估算,中国全年进口集成电路的实际规模应该接近2000亿美元。

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在未来几年,这种严重依赖进口的情况将被完全改写。 因为相变技术的普及是必然的趋势。 目前,闪存技术最高可达28纳米,而相变技术可达7纳米,其制造价格为前者的十分之一,在速度、寿命等方面的特点十分突出,未来将与硬盘和现有的多种梅因 时代全芯企业董事长张龙说。

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基于这一评价,时代全芯决策将在未来5年投资20亿美元使宁波鄞州成为中国的芯片城,年产芯片产品自身年产值将达到200亿元左右,其拉动的产业链将达到千亿量级。

张龙表示,华为、联想已经在我们的样品中展现出了深刻的趣味性,我们短期内的快速发展目标也是覆盖电子成本产品,未来进入高端客户市场。

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